镀膜设备原理及工艺
主要溅射方式：
反应溅射是在溅射的惰性气体气氛中，通入一定比例的反应气体，磁控溅射镀膜机供应商，通常用作反应气体的主要是氧气和氮气。
直流溅射(DC Magnetron1 Sputtering)、射频溅射(RF Magnetron1 Sputtering)、脉冲溅射(PulsedMagnetro n1 Sp uttering)和中频溅射(Medium Fre2quency Magnetro2 n Sp uttering)
直流溅射方法用于被溅射材料为导电材料的溅射和反应溅射镀膜中，其工艺设备简单，有较高的溅射速率。
中频交流磁控溅射在单个阴极靶系统中，与脉冲磁控溅射有同样的释放电荷、防止打弧作用。中频交流溅射技术还应用于孪生靶(Twin2Mag)溅射系统中，中频交流孪生靶溅射是将中频交流电源的两个输出端，磁控溅射镀膜机，分别接到闭合磁场非平衡溅射双靶的各自阴极上，因而在双靶上分别获得相位相反的交流电压，一对磁控溅射靶则交替成为阴极和阳极。孪生靶溅射技术大大提高磁控溅射运行的稳定性，可避免被毒化的靶面产生电荷积累，引起靶面电弧打火以及阳极消失的问题，溅射速率高，为化合物薄膜的工业化大规模生产奠定基础。
连续式的磁控溅射生产线 总体上可以分为三个部分: 前处理， 溅射镀膜， 后处理。
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磁控溅射
磁控溅射法是在高真空充入适量的ya气，在阴极(柱状靶或平面靶)和阳极(镀膜室壁) 之间施加几百K 直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使ya气发生电离。
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磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影响因素是什么？
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靶zhong毒的物理解释
（1）一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶zhong毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶zhong毒时，溅射电压会显著降低。（2）金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶zhong毒后溅射速率低。（3）反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。
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